NOR / NAND Flash ?

플래쉬 메모리란 전원이 없는 상태에서도 데이터가 저장되고, 이러한 데이터의 저장/삭제가 자유로운 메모리를 말한다.

그렇다면 노어(NOR) 플래쉬, 낸드(NAND) 플래쉬는 무엇일까?

플래쉬 메모리는 내부방식에 따라 노어(NOR)형과 낸드(NAND)형으로 나눈다.
노어(NOR)형  - 셀이 병렬로 연결된 방식 ┃ 정보 처리 속도 우수 ┃
낸드(NAND)형 - 셀이 직렬로 연결된 방식 ┃   저장 용량 우수    ┃ 제조단가 저렴(직렬 연결 방식으로 구조가 단순)


1. NOR Flash
   - 메모리의 random access가 가능하여 프로그램을 직접 실행시킬 수 있다.
     이것은 PC가 사용할 수 있는 메모리로 맵핑이 가능하다는 의미로, 256KB 크기의 NOR는 0x00000000 ~ 0x10000000 까지
     의 주소로 맵핑이 된다.
   - 읽기 속도가 NAND보다 빨라 주로 임베디드 시스템의 OS부팅용으로 사용된다.
   - 가격이 비싸다.

2. NAND Flash
   - 메모리가 page/block + Offset 단위로만 접근이 가능한 구조다.
     따라서 적재된 프로그램을 실행하기 위해서는 RAM으로 복사하여 실행해야 한다.
   - 쓰기/지우기 속도가 NOR보다 빨라서 주로 MP3나 디카에 사용하는 CF나 SSD메모리로 사용된다.
   - 가격이 싸다.
   - Spare 영역을 가지고 있다.
   - 생산 과정에서부터 Bad Block을 포함할 수 있다.
     따라서 복사를 통한 대량 양산이 불가능하며 양신을 위해서는 별도의 장치와 로직이 필요하다.


3. 내구한도
   - 두 가지 메모리 모두 피로 파괴에 의한 내구한도를 가지고 있으며, 보통 10만회 쓰고/지우기를 보장하나
     일부 NOR는 1만회만 보장하는 것들도 있다.
   - 내구한도를 늘리기 위해서는 FTL(Flash Transaction Layer)이라는 기술을 사용하며, 리눅스 소스에 공개되어 있다.


4. 지우고 쓰기
   - 플래시 메모리는 overwrite를 지원하지 않는다. 따라서 새로 기록을 하기 위해서는 지우고 쓰는 과정을 거쳐야 한다.
     지우기는 블럭(섹터)단위로 이루어지며, 쓰기는 1byte 단위로 가능하다.

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RAM / ROM

RAM : 기억된 정보를 읽기도 하고 다른 정보를 쓰기도 할 수 있는 메모리로서
          주기억 장치, 응용 프로그램의 일시적 로딩, 데이터의 일시적 저장 등에 사용된다.
          전원이 끊어지면 데이터가 날아가기 때문에 휘발성 메모리이다.
          정보를 읽어올 때 순차적인 접근이 아닌 랜덤하게 읽을 수 있기 때문에 R/W 속도가 빠르다.

- DRAM : 전원이 차단되면 자료가 소멸되는 특성이 있는 휘발성 기억 소자이며, 시간이 지나가면
               축적된 전하가 감소되어 전원이 차단되지 않더라도 저장된 자료가 소멸되는 단점이 있다.

- SRAM : 전원이 공급되는 한 기억된 데이터가 지워지지 않는다. 소용량의 메모리나 캐시 메모리에
               주로 사용되고, 소비전력이 적고 DRAM에 비해 정보 처리 속도가 6배 빠르다.


ROM : 기록한 데이터를 빠른 속도로 읽을 수 있지만, 다시 기록할 수 없는 메모리로서
          전원이 끊어져도 정보가 날아가지 않는 비휘발성 메모리이다.
          ROM은 두 가지 방식이 있는데, 제조과정에서 ROM에 내용이 기록되어 있는 방식과
          처음 만들어질 때 비어있는 상태로 제조된 후 나중에 내용을 기록하는 방식이 있다.

- MASK ROM : 제조과정에서 ROM의 내용을 입력해 놓고, 대량생산할 때 사용됨으로 메인보드나
                       그래픽카드, 입출력카드 등에 사용된다.

- PROM : 제조 과정에서 내부에 내용이 저장되지 않으며, 제조 후 사용자가 원하는 내용을 한번만
               기록할 수 있는 Programmable ROM이다.

- EPROM : PROM이 한번만 내용을 기록할 수 있는 반면, EPROM은 여러 차례 내용을 지우고,
                 다시 기록(자외선을 이용해)할 수 있는 Erasable PROM이다. 기록 속도가 느리다.

- EEPROM : EPROM의 단점인 느린 기록 속도를 보완한 ROM으로 자외선 대신 전기신호를
                   사용하는 Electrically EPROM이다.

[ RAM과 ROM의 분류 ]